1．画出nmos的特性曲线（指明饱和区，截至区，线性区，击穿区和c-v曲线）

    2．2.2um工艺下，kn＝3kp，设计一个反相器，说出器件尺寸。

    3．说出制作n-well的工艺流程。

    4．雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。

    5．用cmos画一个d触发器（clk，d，q，q-）。</p>

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